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牛津仪器ALD OpAL原子层沉积系统
OpAL系统是一种带有等离子体选项的直开式热原子层沉积(ALD)设备。 它可通过清晰而易行的途径升级为等离子体 ALD,这样便可在一个结构紧凑的设备上实现等离子体和热ALD。紧凑型直开式热原子层沉积
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三维原子层沉积系统 ALD
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PICOSUN原子层沉积设备ALD
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牛津仪器ALD OpAL原子层沉积系统 应用纳米多孔结构的涂层
并完善。OpAL系统是一种带有等离子体选项的直开式热原子层沉积(ALD)设备。 它可通过清晰而易行的途径升级为等离子体 ALD,这样便可在一个结构紧凑的设备上实现等离子体和热ALD。紧凑型直开式热原子
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牛津仪器ALD OpAL原子层沉积系统 应用高K栅氧化物
原子层沉积(atomiclayer deposition,ALD)技术,亦称原子层外延(atomiclayer epitaxy,ALE)技术,是一种基于有序、表面自饱和反应的化学气相薄膜沉积技术
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牛津仪器ALD OpAL原子层沉积系统沉积系统
OpAL系统是一种直立式热原子层沉积(ALD)设备,配备等离子体选项。它能够简单地实现从热ALD升级到等离子体ALD,在一个紧凑的结构上实现等离子体和热ALD。紧凑型直立式热原子层沉积(ALD)设备
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原子层沉积系统ALD
3D结构实现均匀薄膜覆盖,可实现微纳深孔内部的均匀沉积,是先进电池材料、催化剂材料、半导体器件研究与应用的最佳仪器。技术参数腔室真空度:≤ 5 Pa真空系统:抽速14L/S,从大气抽至5Pa,≤15
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原子层沉积系统ALD
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原子层沉积系统(ALD)
仪器简介:原子层沉积(ALD)简介: 原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD),zei初称为原子层外延(Atomic Layer Epitaxy,ALE
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PICOSUN原子层沉积系统ALD R-200 Pro
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